Как мы работаем
По сертификату
"военный регистр"
"военный регистр"
Только с Юр. Лицами,
мелкий и крупный опт
мелкий и крупный опт
![FS50R12KT3BPSA1, БТИЗ массив и модульный транзистор, Six Pack [Full Bridge], 75 А, 1.7 В, 280 Вт, 125 °C, Module](/images/placeholder.jpg)
Цена по запросу
FS50R12KT3BPSA1, БТИЗ массив и модульный транзистор, Six Pack [Full Bridge], 75 А, 1.7 В, 280 Вт, 125 °C, Module
Полупроводники - Дискретные\БТИЗ\БТИЗ Массивы и МодулиThe Infineon IGBT module with fast TRENCHSTOP IGBT3, emitter controlled HE diode and NTC. Established Econo module concept
| Collector Emitter Saturation Voltage | 1.7В |
| Collector Emitter Voltage Max | 1.2кВ |
| Continuous Collector Current | 75А |
| DC Ток Коллектора | 75А |
| Power Dissipation | 280Вт |
| Выводы БТИЗ | Solder |
| Конфигурация БТИЗ | Six Pack(Full Bridge) |
| Линейка Продукции | EconoPACK 2 |
| Максимальная Рабочая Температура | 125°C |
| Максимальная Температура Перехода Tj | 125°C |
| Монтаж транзистора | Panel |
| Напряжение Коллектор-Эмиттер | 1.2кВ |
| Напряжение Насыщения Коллектор-Эмиттер Vce(on) | 1.7В |
| Рассеиваемая Мощность | 280Вт |
| Стиль Корпуса Транзистора | Module |
| Технология БТИЗ | IGBT 3(Trench/Field Stop) |
| Channel Type | N |
| Configuration | Common Emitter |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 1200 V |
| Maximum Continuous Collector Current | 75 A |
| Maximum Gate Emitter Voltage | ±20V |
| Maximum Power Dissipation | 280 W |
| Mounting Type | Panel Mount |
| Number of Transistors | 6 |
| Pin Count | 28 |
| Вес, г | 1 |
Похожие товары
Цена по запросу
