Как мы работаем
По сертификату
"военный регистр"
"военный регистр"
Только с Юр. Лицами,
мелкий и крупный опт
мелкий и крупный опт

Цена по запросу
FS50R12W1T7B11BOMA1 IGBT
Semiconductors\Discrete Semiconductors\IGBTsThe Infineon IGBT module with TRENCHSTOP IGBT7, emitter controlled 7 diode, NTC and pressFIT contact technology.
Другие названия товара № | FS50R12W1T7_B11 SP002952274 |
Категория продукта | Модули биполярных транзисторов с изолированным зат |
Коммерческое обозначение | TRENCHSTOP ~ EasyPACK |
Подкатегория | IGBTs |
Размер фабричной упаковки | 24 |
Серия | Trenchstop IGBT7 |
Тип продукта | IGBT Modules |
Торговая марка | Infineon Technologies |
Упаковка | Tray |
Collector Emitter Saturation Voltage | 1.5В |
Collector Emitter Voltage Max | 1.2кВ |
Continuous Collector Current | 50А |
DC Ток Коллектора | 50А |
Выводы БТИЗ | Press Fit |
Конфигурация БТИЗ | Six Pack(Full Bridge) |
Линейка Продукции | EasyPACK |
Максимальная Рабочая Температура | 175°C |
Максимальная Температура Перехода Tj | 175°C |
Монтаж транзистора | Panel |
Напряжение Коллектор-Эмиттер | 1.2кВ |
Напряжение Насыщения Коллектор-Эмиттер Vce(on) | 1.5В |
Стиль Корпуса Транзистора | Module |
Технология БТИЗ | IGBT 7(Trench/Field Stop) |
Channel Type | N |
Configuration | Common Emitter |
Maximum Collector Emitter Voltage | 1200 V |
Maximum Continuous Collector Current | 50 A |
Maximum Gate Emitter Voltage | ±20V |
Maximum Power Dissipation | 20 mW |
Mounting Type | Panel Mount |
Number of Transistors | 6 |