Как мы работаем

По сертификату
"военный регистр"

Только с Юр. Лицами,
мелкий и крупный опт

Цена по запросу

FS75R12W2T4BOMA1 IGBT Module, 107 A 1200 V Module, Panel Mount

Semiconductors\Discrete Semiconductors\IGBTsThe Infineon IGBT module has rugged mounting due to integrated mounting clamps. This IGBT module features a VCEsat with positive temperature coefficient and Al2O3 substrate with low thermal resistance.

Maximum Collector Emitter Voltage	1200 V
Maximum Continuous Collector Current	107 A
Maximum Gate Emitter Voltage	+/-20V
Maximum Power Dissipation	375 W
Mounting Type	Panel Mount
Package Type	Module
Base Product Number	FS75R12 ->
Configuration	Full Bridge
Current - Collector (Ic) (Max)	107A
Current - Collector Cutoff (Max)	1mA
ECCN	EAR99
HTSUS	8541.29.0095
IGBT Type	Trench Field Stop
Input	Standard
Input Capacitance (Cies) @ Vce	4.3nF @ 25V
Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)
NTC Thermistor	Yes
Operating Temperature	-40В°C ~ 150В°C
Package	Tray
Package / Case	Module
Power - Max	375W
REACH Status	REACH Unaffected
RoHS Status	ROHS3 Compliant
Supplier Device Package	Module
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic	2.15V @ 15V, 75A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	1200V
Collector Emitter Saturation Voltage	1.85В
Collector Emitter Voltage Max	1.2кВ
Continuous Collector Current	75А
DC Ток Коллектора	75А
Power Dissipation	375Вт
Выводы БТИЗ	Press Fit
Конфигурация БТИЗ	Six Pack(Full Bridge)
Линейка Продукции	EasyPACK
Максимальная Рабочая Температура	175°C
Максимальная Температура Перехода Tj	175°C
Монтаж транзистора	Panel
Напряжение Коллектор-Эмиттер	1.2кВ
Напряжение Насыщения Коллектор-Эмиттер Vce(on)	1.85В
Рассеиваемая Мощность	375Вт
Стиль Корпуса Транзистора	Module
Технология БТИЗ	IGBT 4(Trench/Field Stop)