Как мы работаем

По сертификату
"военный регистр"

Только с Юр. Лицами,
мелкий и крупный опт

Цена по запросу

FZ2400R33HE4BPSA1 Single IGBT Module, 2.4 kA 3300 V AG-IHVB190

Semiconductors\Discrete Semiconductors\IGBTsThe Infineon single-switch IGBT Module is with TRENCHSTOP™ IGBT4 and Emitter Controlled 4 diode. This module has high power density and AlSiC base plate for increased thermal cycling capability.

Configuration	Single
Maximum Collector Emitter Voltage	3300 V
Maximum Continuous Collector Current	2.4 kA
Maximum Power Dissipation	5400 kW
Number of Transistors	3
Package Type	AG-IHVB190
Collector Emitter Saturation Voltage	2.4В
Collector Emitter Voltage Max	3.3кВ
Continuous Collector Current	2.4кА
DC Ток Коллектора	2.4кА
Выводы БТИЗ	Stud
Конфигурация БТИЗ	Three level Inverter
Линейка Продукции	IHM-B
Максимальная Рабочая Температура	150°C
Максимальная Температура Перехода Tj	150°C
Монтаж транзистора	Panel
Напряжение Коллектор-Эмиттер	3.3кВ
Напряжение Насыщения Коллектор-Эмиттер Vce(on)	2.4В
Стиль Корпуса Транзистора	Module
Технология БТИЗ	IGBT 4(Trench/Field Stop)
Вес, г	1