Как мы работаем

По сертификату
"военный регистр"

Только с Юр. Лицами,
мелкий и крупный опт

Цена по запросу

FZ825R33HE4DBPSA1, IGBT Modules 3300 V, 825 A single switch IGBT module

Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\IGBT ModulesThe Infineon single switch IGBT Module is with TRENCHSTOP™ IGBT4 and Emitter Controlled 4 diode. This module has high power density and AlSiC base plate for increased thermal cycling capability.

Collector Emitter Saturation Voltage	2.4В
Collector Emitter Voltage Max	3.3кВ
Continuous Collector Current	825А
DC Ток Коллектора	825А
Выводы БТИЗ	Stud
Конфигурация БТИЗ	Dual, Common Emitter
Линейка Продукции	IHM-B
Максимальная Рабочая Температура	150°C
Максимальная Температура Перехода Tj	150°C
Монтаж транзистора	Panel
Напряжение Коллектор-Эмиттер	3.3кВ
Напряжение Насыщения Коллектор-Эмиттер Vce(on)	2.4В
Стиль Корпуса Транзистора	Module
Технология БТИЗ	IGBT 4(Trench/Field Stop)
Configuration	Single
Maximum Collector Emitter Voltage	3300 V
Maximum Continuous Collector Current	825 A
Maximum Power Dissipation	2400 kW
Number of Transistors	2
Package Type	AG-IHVB130