Цена по запросу
GD100HFX170C1S, IGBTмодуль, Low Loss, замена для SKM100GB17E4, аналог CM100DY-34A, SKM145GB176D
Силовые IGBTи SiC модулиМодуль IGBT 1700В 168A
Макс.напр.к-э,В | 1700 |
Номинальный ток одиночного тр-ра,А | 100 |
Collector Emitter Saturation Voltage | 1.85В |
Collector Emitter Voltage Max | 1.7кВ |
Continuous Collector Current | 168А |
DC Ток Коллектора | 168А |
Power Dissipation | 632Вт |
Выводы БТИЗ | Stud |
Конфигурация БТИЗ | Half Bridge |
Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
Максимальная Температура Перехода Tj | 150°C |
Монтаж транзистора | Panel |
Напряжение Коллектор-Эмиттер | 1.7кВ |
Напряжение Насыщения Коллектор-Эмиттер Vce(on) | 1.85В |
Рассеиваемая Мощность | 632Вт |
Стиль Корпуса Транзистора | Module |
Технология БТИЗ | Trench Field Stop |
Вес, г | 222 |