Как мы работаем

По сертификату
"военный регистр"

Только с Юр. Лицами,
мелкий и крупный опт

Цена по запросу

Заказать в 1 клик

GD100HHU120C6S, БТИЗ массив и модульный транзистор, H Bridge, 160 А, 3.1 В, 638 Вт, 125 °C, Module

Полупроводники - Дискретные\БТИЗ\БТИЗ Массивы и Модули

Collector Emitter Saturation Voltage	3.1В
Collector Emitter Voltage Max	1.2кВ
Continuous Collector Current	160А
DC Ток Коллектора	160А
Power Dissipation	638Вт
Выводы БТИЗ	Press Fit
Конфигурация БТИЗ	H Bridge
Максимальная Рабочая Температура	125°C
Максимальная Температура Перехода Tj	125°C
Монтаж транзистора	Panel
Напряжение Коллектор-Эмиттер	1.2кВ
Напряжение Насыщения Коллектор-Эмиттер Vce(on)	3.1В
Рассеиваемая Мощность	638Вт
Стиль Корпуса Транзистора	Module
Технология БТИЗ	NPT Ultra Fast IGBT
Вес, кг	1.21