Как мы работаем

По сертификату
"военный регистр"

Только с Юр. Лицами,
мелкий и крупный опт

Цена по запросу

Заказать в 1 клик

GD200HFU120C2S, Модуль IGBT 1200В 262А

Транзисторы / IGBT (БТИЗ) транзисторы / Силовые модули IGBTМодуль IGBT 1200В 262А

Collector Emitter Saturation Voltage	3В
Collector Emitter Voltage Max	1.2кВ
Continuous Collector Current	262А
DC Ток Коллектора	262А
Power Dissipation	1.315кВт
Выводы БТИЗ	Stud
Конфигурация БТИЗ	Half Bridge
Максимальная Рабочая Температура	125°C
Максимальная Температура Перехода Tj	125°C
Монтаж транзистора	Panel
Напряжение Коллектор-Эмиттер	1.2кВ
Напряжение Насыщения Коллектор-Эмиттер Vce(on)	3В
Рассеиваемая Мощность	1.315кВт
Стиль Корпуса Транзистора	Module
Технология БТИЗ	NPT Ultra Fast IGBT
Вес, г	340