Цена по запросу
GD300HFX170C6S, IGBT модуль 1700B 300А 2 in one-package
Транзисторы / IGBT (БТИЗ) транзисторы / Силовые модули IGBTIGBT модуль 1700B 300А 2 in one-package
Макс.напр.к-э,В | 1700 |
Номинальный ток одиночного тр-ра,А | 300 |
Структура модуля | полумост |
Тип силового модуля | Сборка на IGBT транзисторах |
Collector Emitter Saturation Voltage | 1.85В |
Collector Emitter Voltage Max | 1.7кВ |
Continuous Collector Current | 493А |
DC Ток Коллектора | 493А |
Power Dissipation | 1.829кВт |
Выводы БТИЗ | Press Fit |
Конфигурация БТИЗ | Half Bridge |
Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
Максимальная Температура Перехода Tj | 150°C |
Монтаж транзистора | Panel |
Напряжение Коллектор-Эмиттер | 1.7кВ |
Напряжение Насыщения Коллектор-Эмиттер Vce(on) | 1.85В |
Рассеиваемая Мощность | 1.829кВт |
Стиль Корпуса Транзистора | Module |
Технология БТИЗ | Trench Field Stop |
Вес, г | 300 |