Как мы работаем

По сертификату
"военный регистр"

Только с Юр. Лицами,
мелкий и крупный опт

Цена по запросу

Заказать в 1 клик

GD300HFX170C6S, Модуль IGBT, 1700 В/300 А, 2 в одной упаковке, 152,1x62x20,8 мм, 350 г

IGBT модуль 1700B 300А 2 in one-package

Макс.напр.к-э,В	1700
Номинальный ток одиночного тр-ра,А	300
Структура модуля	полумост
Тип силового модуля	Сборка на IGBT транзисторах
Collector Emitter Saturation Voltage	1.85В
Collector Emitter Voltage Max	1.7кВ
Continuous Collector Current	493А
DC Ток Коллектора	493А
Power Dissipation	1.829кВт
Выводы БТИЗ	Press Fit
Конфигурация БТИЗ	Half Bridge
Максимальная Рабочая Температура	150°C
Максимальная Температура Перехода Tj	150°C
Монтаж транзистора	Panel
Напряжение Коллектор-Эмиттер	1.7кВ
Напряжение Насыщения Коллектор-Эмиттер Vce(on)	1.85В
Рассеиваемая Мощность	1.829кВт
Стиль Корпуса Транзистора	Module
Технология БТИЗ	Trench Field Stop