Как мы работаем

По сертификату
"военный регистр"

Только с Юр. Лицами,
мелкий и крупный опт

Цена по запросу

Заказать в 1 клик

GD300HFY120C2S, Модуль IGBT 1200В 600A, 150°C 2.941кВт

Транзисторы / IGBT (БТИЗ) транзисторы / Силовые модули IGBTМодуль IGBT 1200В 600A, 150°C 2.941кВт

Макс.напр.к-э,В	1200
Номинальный ток одиночного тр-ра,А	300
Collector Emitter Saturation Voltage	2В
Collector Emitter Voltage Max	1.2кВ
Continuous Collector Current	600А
DC Ток Коллектора	600А
Power Dissipation	2.941кВт
Выводы БТИЗ	Stud
Конфигурация БТИЗ	Half Bridge
Максимальная Рабочая Температура	150°C
Максимальная Температура Перехода Tj	150°C
Монтаж транзистора	Panel
Напряжение Коллектор-Эмиттер	1.2кВ
Напряжение Насыщения Коллектор-Эмиттер Vce(on)	2В
Рассеиваемая Мощность	2.941кВт
Стиль Корпуса Транзистора	Module
Технология БТИЗ	Trench Field Stop
Вес, г	317.1