Цена по запросу
GD300HFY120C6S, IGBT модуль 1200B 300А 2 in one-package
Транзисторы / IGBT (БТИЗ) транзисторы / Силовые модули IGBTIGBT модуль 1200B 300А 2 in one-package
| Макс.напр.к-э,В | 1200 |
| Номинальный ток одиночного тр-ра,А | 300 |
| Collector Emitter Saturation Voltage | 2В |
| Collector Emitter Voltage Max | 1.2кВ |
| Continuous Collector Current | 480А |
| DC Ток Коллектора | 480А |
| Power Dissipation | 1.613кВт |
| Выводы БТИЗ | Stud |
| Конфигурация БТИЗ | Half Bridge |
| Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
| Максимальная Температура Перехода Tj | 150°C |
| Монтаж транзистора | Panel |
| Напряжение Коллектор-Эмиттер | 1.2кВ |
| Напряжение Насыщения Коллектор-Эмиттер Vce(on) | 2В |
| Рассеиваемая Мощность | 1.613кВт |
| Стиль Корпуса Транзистора | Module |
| Технология БТИЗ | Trench Field Stop |
| Вес, г | 300 |
Похожие товары
Цена по запросу