Как мы работаем

По сертификату
"военный регистр"

Только с Юр. Лицами,
мелкий и крупный опт

Цена по запросу

Заказать в 1 клик

GD400HFY120C2S, Модуль силовой IGBT полумостовой 1200В, 400А, +175°C

Транзисторы / IGBT (БТИЗ) транзисторы / Силовые модули IGBTМодуль силовой IGBT полумостовой 1200В, 400А, +175°C

Collector Emitter Saturation Voltage	2В
Collector Emitter Voltage Max	1.2кВ
Continuous Collector Current	630А
DC Ток Коллектора	630А
Power Dissipation	2.083кВт
Выводы БТИЗ	Stud
Конфигурация БТИЗ	Half Bridge
Максимальная Рабочая Температура	150°C
Максимальная Температура Перехода Tj	150°C
Монтаж транзистора	Panel
Напряжение Коллектор-Эмиттер	1.2кВ
Напряжение Насыщения Коллектор-Эмиттер Vce(on)	2В
Рассеиваемая Мощность	2.083кВт
Стиль Корпуса Транзистора	Module
Технология БТИЗ	Trench Field Stop
Макс.напр.к-э,В	1200
Номинальный ток одиночного тр-ра,А	400
Вес, г	4.54