Как мы работаем

По сертификату
"военный регистр"

Только с Юр. Лицами,
мелкий и крупный опт

Цена по запросу

Заказать в 1 клик

GD600HFY120C6S, IGBT модуль 1200B 600А 2 in one-package

Транзисторы / IGBT (БТИЗ) транзисторы / Силовые модули IGBTIGBT модуль 1200B 600А 2 in one-package

Collector Emitter Saturation Voltage	2В
Collector Emitter Voltage Max	1.2кВ
Continuous Collector Current	1.09кА
DC Ток Коллектора	1.09кА
Power Dissipation	3.947кВт
Выводы БТИЗ	Stud
Конфигурация БТИЗ	Half Bridge
Максимальная Рабочая Температура	150°C
Максимальная Температура Перехода Tj	150°C
Монтаж транзистора	Panel
Напряжение Коллектор-Эмиттер	1.2кВ
Напряжение Насыщения Коллектор-Эмиттер Vce(on)	2В
Рассеиваемая Мощность	3.947кВт
Стиль Корпуса Транзистора	Module
Технология БТИЗ	Trench Field Stop
Макс.напр.к-э,В	1200
Номинальный ток одиночного тр-ра,А	600
Вес, г	300