Как мы работаем

По сертификату
"военный регистр"
Только с Юр. Лицами,
мелкий и крупный опт
GD800HFX170A3S, IGBT модуль 800A 1700В полумост, =FF800R17KP4_B2, CM800DZ-34H
Цена по запросу

GD800HFX170A3S, IGBT модуль 800A 1700В полумост, =FF800R17KP4_B2, CM800DZ-34H

Силовые IGBTи SiC модулиАналог: CM800DZ-34H Mitsubishi
Макс.напр.к-э,В 1700
Номинальный ток одиночного тр-ра,А 800
Структура модуля одиночный транзистор
Тип силового модуля Сборка на IGBT транзисторах