Как мы работаем

По сертификату
"военный регистр"

Только с Юр. Лицами,
мелкий и крупный опт

Цена по запросу

GS1M, Диод импульсный 1000В 1А

Характеристики Материал кремний Максимальное импульсное обратное напряжение, В 1000 Максимальный прямой(выпрямленный за полупериод) ток,А 1 Максимально допустимый прямой импульсный ток,А 30 Максимальный обратный ток,мкА 25гр 10 Максимальное прямое напряжение,В 1.1 при Iпр.,А 1 Рабочая температура,С -55…150 Способ монтажа smd Корпус do214ac Максимальное постоянное обратное напряжение, В 1000 Galaxy Microelectronics Co.,Ltd

Тип диода	стандартный
Максимальное обратное напряжение (Vr)	1000В (1кВ)
Средний прямой ток (Io)	1A
Максимальное прямое напряжение (Vf) при токе If	1.1В при 1A
Быстродействие	стандартное, => 500нс, при токе > 200мА
Ток утечки при Vr	10 мкА при 1000В
Емкость при Vr на частоте F	15пФ при 4В, на 1МГц
Корпус	SMA (DO-214AC)
Вес брутто	0.14 г.
Наименование	GS1M
Производитель	Galaxy Microelectronics Co.,Ltd
Описание Eng	Diode Switching 1KV 1A
Тип упаковки	Tape and Reel (лента в катушке)
Нормоупаковка	2000 шт