Как мы работаем
По сертификату
"военный регистр"
"военный регистр"
Только с Юр. Лицами,
мелкий и крупный опт
мелкий и крупный опт
![GT50JR22(STA1,E,S), Транзистор, IGBT Chip N-CH 600В 50А 230Вт [TO-3PN]](/images/placeholder.jpg)
Цена по запросу
GT50JR22(STA1,E,S), Транзистор, IGBT Chip N-CH 600В 50А 230Вт [TO-3PN]
Trans IGBT Chip N-CH 600V 50A 230000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3PN Magazine
| Технология/семейство | Gen 6.5 |
| Наличие встроенного диода | Да |
| Максимальное напряжение КЭ ,В | 600 |
| Максимальный ток КЭ при 25°C, A | 50 |
| Импульсный ток коллектора (Icm), А | 100 |
| Напряжение насыщения при номинальном токе, В | 1.55 |
| Максимальная рассеиваемая мощность, Вт | 230 |
| Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс | 250 |
| Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс | 330 |
| Рабочая температура (Tj), °C | -55…+175 |
| Корпус | TO-3P(N) |
| Вес, г | 6.5 |
Похожие товары
Цена по запросу
Цена по запросу
Цена по запросу
Цена по запросу
Цена по запросу
Цена по запросу
Цена по запросу
