Как мы работаем
По сертификату
"военный регистр"
"военный регистр"
Только с Юр. Лицами,
мелкий и крупный опт
мелкий и крупный опт

Цена по запросу
H11G1M
Электроэлемент Описание Оптопара транзисторная H11G1M от ONSEMI обладает высокой производительностью и надежностью. Этот компонент с одним каналом и выходом в виде транзистора предназначен для обеспечения эффективной гальванической развязки между входными и выходными цепями. С коэффициентом передачи тока (CTR) в диапазоне от 100% до 200% при токе управления 10mA, он гарантирует высокую точность сигналов. Максимальное выходное напряжение составляет 100В, а напряжение изоляции достигает 4.17кВ, что обеспечивает отличную защиту в различных электронных устройствах. Упакованный в корпус DIP6 для монтажа THT, H11G1M подходит для широкого круга областей применения, включая промышленную автоматизацию, телекоммуникационное оборудование и системы безопасности. Продукт H11G1M сочетает в себе высокое качество и долговечность, что делает его незаменимым компонентом в вашем проекте. Характеристики
Категория
Оптопара
Тип
транзисторная
CTR@If
100-200%@10mA
Вид выхода
транзистор
Кол-во каналов
1
Выходное напряжение макс., В
100
Напряжение изоляции, кВ
4.17
Монтаж
THT
Корпус
DIP6
Категория | Оптопара |
Тип | транзисторная |
CTR@If | 100-200%@10mA |
Вид выхода | транзистор |
Кол-во каналов | 1 |
Выходное напряжение макс., В | 100 |
Напряжение изоляции, кВ | 4.17 |
Монтаж | THT |
Корпус | DIP6 |
Current Transfer Ratio | 1000(%) |
Forward Current | 60(mA) |
Forward Voltage | 1.5(V) |
Input Type | DC |
Isolation Voltage | 5250(V) |
Maximum Forward Current | 60(mA) |
Mounting | Through Hole |
Number of Elements | 1 |
Operating Temp Range | -40C to 100C |
Operating Temperature Classification | INDUSTRIALC |
Output Device | Darlington With Base |
Output Type | DC |
Package Type | PDIP W |
Packaging | Bag |
Pin Count | 6 |
Power Dissipation | 0.26(W) |
Rad Hardened | No |
Reverse Breakdown Voltage | 6(V) |
Standard | UL |
Automotive | No |
Current Transfer Ratio Test Current (mA) | 10 |
ECCN (US) | EAR99 |
EU RoHS | Compliant |
Lead Shape | Through Hole |
Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage (mV) | 1000 |
Maximum Collector-Emitter Voltage (V) | 100 |
Maximum Forward Current (mA) | 60 |
Maximum Forward Voltage (V) | 1.5 |
Maximum Operating Temperature (°C) | 100 |
Maximum Power Dissipation (mW) | 260 |
Maximum Reverse Voltage (V) | 6 |
Minimum Current Transfer Ratio (%) | 1000 |
Minimum Isolation Voltage (Vrms) | 4170 |
Minimum Operating Temperature (°C) | -40 |
Number of Channels per Chip | 1 |
Part Status | Active |
PCB changed | 6 |
PPAP | No |
Standard Package Name | DIP |
Supplier Package | PDIP |
Typical Forward Voltage (V) | 1.3 |
Brand | onsemi/Fairchild |
Configuration | 1 Channel |
Current Transfer Ratio - Min | 1000% |
Current Transfer Ratio | 1000% |
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity | 1000 |
If - Forward Current | 60 mA |
Isolation Voltage | 4170 Vrms |
Manufacturer | onsemi |
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage | 1 V |
Maximum Collector Emitter Voltage | 100 V |
Maximum Operating Temperature | +100 C |
Minimum Operating Temperature | -40 C |
Mounting Style | Through Hole |
Number of Channels | 1 Channel |
Output Type | Photodarlington |
Package / Case | PDIP-6 |
Packaging | Bulk |
Pd - Power Dissipation | 290 mW |
Product Category | Transistor Output Optocouplers |
Product Type | Transistor Output Optocouplers |
Series | H11G1M |
Subcategory | Optocouplers |
Vf - Forward Voltage | 1.5 V |
Vr - Reverse Voltage | 6 V |
Вес, г | 1.12 |