Контакты
с 8:00 до 22:00
без выходных
8 (812) 920-85-20
многоканальный
info@bastionit.ru Заказать звонок

Как мы работаем

По сертификату
"военный регистр"
Только с Юр. Лицами,
мелкий и крупный опт
H11G1M
Цена по запросу

H11G1M

Электроэлемент Описание Оптопара транзисторная H11G1M от ONSEMI обладает высокой производительностью и надежностью. Этот компонент с одним каналом и выходом в виде транзистора предназначен для обеспечения эффективной гальванической развязки между входными и выходными цепями. С коэффициентом передачи тока (CTR) в диапазоне от 100% до 200% при токе управления 10mA, он гарантирует высокую точность сигналов. Максимальное выходное напряжение составляет 100В, а напряжение изоляции достигает 4.17кВ, что обеспечивает отличную защиту в различных электронных устройствах. Упакованный в корпус DIP6 для монтажа THT, H11G1M подходит для широкого круга областей применения, включая промышленную автоматизацию, телекоммуникационное оборудование и системы безопасности. Продукт H11G1M сочетает в себе высокое качество и долговечность, что делает его незаменимым компонентом в вашем проекте. Характеристики Категория Оптопара Тип транзисторная CTR@If 100-200%@10mA Вид выхода транзистор Кол-во каналов 1 Выходное напряжение макс., В 100 Напряжение изоляции, кВ 4.17 Монтаж THT Корпус DIP6
Категория Оптопара
Тип транзисторная
CTR@If 100-200%@10mA
Вид выхода транзистор
Кол-во каналов 1
Выходное напряжение макс., В 100
Напряжение изоляции, кВ 4.17
Монтаж THT
Корпус DIP6
Current Transfer Ratio 1000(%)
Forward Current 60(mA)
Forward Voltage 1.5(V)
Input Type DC
Isolation Voltage 5250(V)
Maximum Forward Current 60(mA)
Mounting Through Hole
Number of Elements 1
Operating Temp Range -40C to 100C
Operating Temperature Classification INDUSTRIALC
Output Device Darlington With Base
Output Type DC
Package Type PDIP W
Packaging Bag
Pin Count 6
Power Dissipation 0.26(W)
Rad Hardened No
Reverse Breakdown Voltage 6(V)
Standard UL
Automotive No
Current Transfer Ratio Test Current (mA) 10
ECCN (US) EAR99
EU RoHS Compliant
Lead Shape Through Hole
Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage (mV) 1000
Maximum Collector-Emitter Voltage (V) 100
Maximum Forward Current (mA) 60
Maximum Forward Voltage (V) 1.5
Maximum Operating Temperature (°C) 100
Maximum Power Dissipation (mW) 260
Maximum Reverse Voltage (V) 6
Minimum Current Transfer Ratio (%) 1000
Minimum Isolation Voltage (Vrms) 4170
Minimum Operating Temperature (°C) -40
Number of Channels per Chip 1
Part Status Active
PCB changed 6
PPAP No
Standard Package Name DIP
Supplier Package PDIP
Typical Forward Voltage (V) 1.3
Brand onsemi/Fairchild
Configuration 1 Channel
Current Transfer Ratio - Min 1000%
Current Transfer Ratio 1000%
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity 1000
If - Forward Current 60 mA
Isolation Voltage 4170 Vrms
Manufacturer onsemi
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage 1 V
Maximum Collector Emitter Voltage 100 V
Maximum Operating Temperature +100 C
Minimum Operating Temperature -40 C
Mounting Style Through Hole
Number of Channels 1 Channel
Output Type Photodarlington
Package / Case PDIP-6
Packaging Bulk
Pd - Power Dissipation 290 mW
Product Category Transistor Output Optocouplers
Product Type Transistor Output Optocouplers
Series H11G1M
Subcategory Optocouplers
Vf - Forward Voltage 1.5 V
Vr - Reverse Voltage 6 V
Вес, г 1.12

Дмитрий Тест

Хороший проц
Плюсы:
Да
Минусы:
Нет

Андрюшка

Нормуль
Плюсы:
Плюсы!

Заказать звонок

Заполните форму и мы перезвоним вам в течение 10 минут

Нажимая кнопку, я даю согласие на обработку персональных данных