Как мы работаем

По сертификату
"военный регистр"

Только с Юр. Лицами,
мелкий и крупный опт

Цена по запросу

IGB15N65S5ATMA1 IGBT PG-TO263-3

Semiconductors\Discrete Semiconductors\IGBTsThe Infineon 650 V, 15 A high speed switching TRENCHSTOP 5 in D2Pak package single IGBT, addressing applications switching between 10 kHz and 40 kHz to deliver high efficiency, faster time-to-market cycles, circuit design complexity reduction and PCB bill of material cost optimization.

Maximum Power Dissipation	105 W
Package Type	PG-TO263-3
Pd - рассеивание мощности	105 W
Вид монтажа	SMD/SMT
Другие названия товара №	IGB15N65S5 SP001502560
Категория продукта	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I
Конфигурация	Single
Максимальная рабочая температура	+ 175 C
Максимальное напряжение затвор-эмиттер	20 V
Минимальная рабочая температура	40 C
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	650 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер	1.35 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C	35 A
Непрерывный ток коллектора Ic, макс.	35 A
Подкатегория	IGBTs
Размер фабричной упаковки	1000
Тип продукта	IGBT Transistors
Ток утечки затвор-эмиттер	100 nA
Торговая марка	Infineon Technologies
Упаковка	Reel, Cut Tape
Упаковка / блок	TO-263-3
Collector Emitter Saturation Voltage	1.35В
Collector Emitter Voltage Max	650В
Continuous Collector Current	35А
Power Dissipation	105Вт
Количество Выводов	3вывод(-ов)
Линейка Продукции	TRENCHSTOP 5
Монтаж транзистора	Surface Mount
Стиль Корпуса Транзистора	TO-263(D2PAK)