Как мы работаем

По сертификату
"военный регистр"

Только с Юр. Лицами,
мелкий и крупный опт

Цена по запросу

IGB20N65S5ATMA1 IGBT

Semiconductors\Discrete Semiconductors\IGBTsThe Infineon IGBT with anti parallel diode in TO263 package is suitable for use with single turn on or turn off gate resistor.

Pd - рассеивание мощности	125 W
Вид монтажа	SMD/SMT
Другие названия товара №	IGB20N65S5 SP001502564
Категория продукта	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I
Коммерческое обозначение	TRENCHSTOP
Конфигурация	Single
Максимальная рабочая температура	+ 175 C
Максимальное напряжение затвор-эмиттер	20 V
Минимальная рабочая температура	40 C
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	650 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер	1.35 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C	40 A
Непрерывный ток коллектора Ic, макс.	40 A
Подкатегория	IGBTs
Размер фабричной упаковки	1000
Серия	Trenchstop IGBT5
Технология	Si
Тип продукта	IGBT Transistors
Ток утечки затвор-эмиттер	100 nA
Торговая марка	Infineon Technologies
Упаковка	Reel, Cut Tape
Упаковка / блок	TO-263-3
Collector Emitter Saturation Voltage	1.35В
Collector Emitter Voltage Max	650В
Continuous Collector Current	40А
Power Dissipation	125Вт
Количество Выводов	3вывод(-ов)
Линейка Продукции	TRENCHSTOP 5
Монтаж транзистора	Surface Mount
Стиль Корпуса Транзистора	TO-263(D2PAK)
Channel Type	N
Maximum Collector Emitter Voltage	650 V
Maximum Continuous Collector Current	20 A
Maximum Gate Emitter Voltage	±20 V, ±30V
Maximum Power Dissipation	125 W
Mounting Type	Through Hole
Number of Transistors	1
Package Type	TO-263
Pin Count	3