Как мы работаем

По сертификату
"военный регистр"

Только с Юр. Лицами,
мелкий и крупный опт

Цена по запросу

IGP40N65F5XKSA1 IGBT 650 V PG-TO220-3

Semiconductors\Discrete Semiconductors\IGBTsThe Infineon hard-switching 650 V, 40 A TRENCHSTOP 5 IGBT discrete in TO-247 package for high efficiency demands. Best-in-class efficiency, resulting in lower junction and case temperature leading to higher device reliability.:

Maximum Collector Emitter Voltage	650 V
Maximum Gate Emitter Voltage	±20V
Package Type	PG-TO220-3
Pd - рассеивание мощности	250 W
Вид монтажа	Through Hole
Другие названия товара №	IGP40N65F5 SP000973422
Категория продукта	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I
Коммерческое обозначение	TRENCHSTOP
Конфигурация	Single
Максимальная рабочая температура	+ 175 C
Максимальное напряжение затвор-эмиттер	+/- 20 V
Минимальная рабочая температура	40 C
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	650 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер	1.9 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C	74 A
Подкатегория	IGBTs
Размер фабричной упаковки	500
Серия	TRENCHSTOP 5 F5
Технология	Si
Тип продукта	IGBT Transistors
Ток утечки затвор-эмиттер	100 nA
Торговая марка	Infineon Technologies
Упаковка	Tube
Упаковка / блок	TO-220-3