Как мы работаем

По сертификату
"военный регистр"

Только с Юр. Лицами,
мелкий и крупный опт

Цена по запросу

IGP50N60TXKSA1 IGBT Transistor Module, 90 A 600 V PG-TO220-3

Semiconductors\Discrete Semiconductors\IGBTsThe Infineon low loss IGBT has easy parallel switching capability due to positive temperature coefficient in Vcesat.

Maximum Collector Emitter Voltage	600 V
Maximum Continuous Collector Current	90 A
Maximum Gate Emitter Voltage	±20V
Maximum Power Dissipation	333 W
Number of Transistors	3
Package Type	PG-TO220-3
Pd - рассеивание мощности	333 W
Вид монтажа	Through Hole
Другие названия товара №	IGP50N60T IGP5N6TXK SP000683046
Категория продукта	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I
Коммерческое обозначение	TRENCHSTOP
Конфигурация	Single
Максимальная рабочая температура	+ 175 C
Максимальное напряжение затвор-эмиттер	+/- 20 V
Минимальная рабочая температура	40 C
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	600 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер	1.5 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C	90 A
Подкатегория	IGBTs
Размер фабричной упаковки	500
Серия	TRENCHSTOP IGBT
Технология	Si
Тип продукта	IGBT Transistors
Ток утечки затвор-эмиттер	100 nA
Торговая марка	Infineon Technologies
Упаковка	Tube
Упаковка / блок	TO-220-3