Как мы работаем
По сертификату
"военный регистр"
"военный регистр"
Только с Юр. Лицами,
мелкий и крупный опт
мелкий и крупный опт
Цена по запросу
IKB20N60H3ATMA1 IGBT, 40 A 600 V, 3-Pin PG-TO263-3, Through Hole
Semiconductors\Discrete Semiconductors\IGBTsTrans IGBT Chip N-CH 600V 40A 170000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
| Channel Type | N |
| Collector Current (DC) | 40(A) |
| Collector-Emitter Voltage | 600(V) |
| Configuration | Single |
| Gate to Emitter Voltage (Max) | ±20(V) |
| Mounting | Surface Mount |
| Operating Temperature (Max) | 175C |
| Operating Temperature (Min) | -40C |
| Operating Temperature Classification | Automotive |
| Package Type | D2PAK |
| Packaging | Tape and Reel |
| Pin Count | 2+Tab |
| Rad Hardened | No |
| Collector Emitter Saturation Voltage | 1.95В |
| Collector Emitter Voltage Max | 600В |
| Continuous Collector Current | 40А |
| Power Dissipation | 170Вт |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Линейка Продукции | HighSpeed 3 |
| Максимальная Рабочая Температура | 175°C |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-263(D2PAK) |
| Collector Current (Ic) | 40A |
| Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vces) | 600V |
| Diode Reverse Recovery Time (Trr) | 112ns |
| Turn?on Switching Loss (Eon) | 0.69mJ |
| Type | FS(Field Stop) |
Похожие товары
Цена по запросу
Цена по запросу
Цена по запросу
Цена по запросу
