Как мы работаем
По сертификату
"военный регистр"
"военный регистр"
Только с Юр. Лицами,
мелкий и крупный опт
мелкий и крупный опт

Цена по запросу
IKB40N65EF5ATMA1 IGBT, 74 A 650 V, 3-Pin PG-TO263-3
Semiconductors\Discrete Semiconductors\IGBTsThe Infineon high speed fast switching insulated-gate bipolar transistor with full current rated rapid 1 fast and soft antiparallel diode.
Maximum Collector Emitter Voltage | 650 V |
Maximum Continuous Collector Current | 74 A |
Maximum Gate Emitter Voltage | ±20 V, ±30 V |
Maximum Power Dissipation | 250 W |
Package Type | PG-TO263-3 |
Pin Count | 3 |