Как мы работаем
По сертификату
"военный регистр"
"военный регистр"
Только с Юр. Лицами,
мелкий и крупный опт
мелкий и крупный опт
Цена по запросу
IKD03N60RFATMA1 Single IGBT, 6.5 A 600 V, 3-Pin PG-TO252
Semiconductors\Discrete Semiconductors\IGBTsThe Infineon IKD03N60RF is higher reliability due to monolithically integrated IGBT & diode due to less thermal cycling during switching.
| Channel Type | N |
| Configuration | Single |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 600 V |
| Maximum Continuous Collector Current | 6.5 A |
| Maximum Gate Emitter Voltage | 20V |
| Maximum Power Dissipation | 53.6 W |
| Number of Transistors | 1 |
| Package Type | PG-TO252 |
| Pin Count | 3 |
| Transistor Configuration | Single |
| Collector Emitter Saturation Voltage | 2.2В |
| Collector Emitter Voltage Max | 600В |
| Continuous Collector Current | 6.5А |
| Power Dissipation | 53.6Вт |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Линейка Продукции | TRENCHSTOP RC |
| Максимальная Рабочая Температура | 175°C |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-252(DPAK) |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
Похожие товары
Цена по запросу
Цена по запросу
Цена по запросу
Цена по запросу
