Контакты
с 8:00 до 22:00
без выходных
8 (812) 920-85-20
многоканальный
info@bastionit.ru Заказать звонок

Как мы работаем

По сертификату
"военный регистр"
Только с Юр. Лицами,
мелкий и крупный опт
IPD122N10N3GATMA1, Транзистор полевой MOSFET N-канальный силовой 100В 12.2мОм 26нКл серия OPTIMOS DPAK
Цена по запросу

IPD122N10N3GATMA1, Транзистор полевой MOSFET N-канальный силовой 100В 12.2мОм 26нКл серия OPTIMOS DPAK

Транзистор полевой MOSFET N-канальный силовой 100В 12.2мОм 26нКл серия OPTIMOS DPAK Infineon Technologies
Напряжение исток-сток макс. 100В
Сопротивление открытого канала 12.2мОм
Тип транзистора N-канальный
Особенности силовой
Тип монтажа Surface Mount
Корпус TO-252-3
Вес брутто 0.55 г.
Наименование IPD122N10N3GATMA1
Производитель Infineon Technologies
Описание Eng N-Channel 100 V 12.2 mOhm 26 nC OptiMOSв„ў Power Mosfet - DPAK
Тип упаковки Tape and Reel (лента в катушке)
Нормоупаковка 2500 шт

Дмитрий Тест

Хороший проц
Плюсы:
Да
Минусы:
Нет

Андрюшка

Нормуль
Плюсы:
Плюсы!

Заказать звонок

Заполните форму и мы перезвоним вам в течение 10 минут

Нажимая кнопку, я даю согласие на обработку персональных данных