Как мы работаем

По сертификату
"военный регистр"
Только с Юр. Лицами,
мелкий и крупный опт
IPD135N03LGATMA1, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 30A 3-Pin(2+Tab) DPAK лента на катушке
Цена по запросу

IPD135N03LGATMA1, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 30A 3-Pin(2+Tab) DPAK лента на катушке

Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 30A 3-Pin(2+Tab) DPAK лента на катушке Infineon Technologies
Напряжение исток-сток макс. 30В
Ток стока макс. 30A
Сопротивление открытого канала 13.5 мОм
Мощность макс. 31Вт
Тип транзистора N-канал
Особенности Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс. 2.2В
Заряд затвора 10нКл
Входная емкость 1000пФ
Тип монтажа Surface Mount
Корпус DPAK/TO-252AA
Вес брутто 0.66 г.
Наименование IPD135N03LGATMA1
Производитель Infineon Technologies
Описание Eng MOSFET N-CH 30V 30A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Тип упаковки Tape and Reel (лента в катушке)
Нормоупаковка 2500 шт