Контакты
с 8:00 до 22:00
без выходных
8 (812) 920-85-20
многоканальный
info@bastionit.ru Заказать звонок

Как мы работаем

По сертификату
"военный регистр"
Только с Юр. Лицами,
мелкий и крупный опт
IPD50R800CEAUMA1, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 550В 7.6A 0.8Ом DPAK
Цена по запросу

IPD50R800CEAUMA1, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 550В 7.6A 0.8Ом DPAK

Транзисторы / Полевые транзисторы / Одиночные MOSFET транзисторыТранзистор полевой MOSFET N-канальный 550В 7.6A 0.8Ом DPAK
Корпус DPAK/TO-252AA
Channel Mode Enhancement
Channel Type N
Maximum Continuous Drain Current 5 A
Maximum Drain Source Resistance 800 mΩ
Maximum Drain Source Voltage 500 V
Maximum Gate Threshold Voltage 3.5V
Mounting Type Surface Mount
Number of Elements per Chip 1
Package Type DPAK(TO-252)
Pin Count 3
Series IPD50R
Transistor Material Si
Вес, г 0.36

Дмитрий Тест

Хороший проц
Плюсы:
Да
Минусы:
Нет

Андрюшка

Нормуль
Плюсы:
Плюсы!

Заказать звонок

Заполните форму и мы перезвоним вам в течение 10 минут

Нажимая кнопку, я даю согласие на обработку персональных данных