Как мы работаем
По сертификату
"военный регистр"
"военный регистр"
Только с Юр. Лицами,
мелкий и крупный опт
мелкий и крупный опт
Цена по запросу
IPD5N25S3-430
МОП-транзистор N-Ch 250V 5A DPAK-2
| Id - непрерывный ток утечки | 5 A |
| Pd - рассеивание мощности | 41 W |
| Qg - заряд затвора | 4.7 nC |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 430 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 250 V |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 3 V |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Время нарастания | 2 ns |
| Время спада | 5 ns |
| Высота | 2.3 mm |
| Длина | 6.5 mm |
| Другие названия товара № | SP000876584 IPD5N25S343XT IPD5N25S3430ATMA1 |
| Канальный режим | Enhancement |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Квалификация | AEC-Q101 |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Конфигурация | Single |
| Максимальная рабочая температура | + 175 C |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Размер фабричной упаковки | 2500 |
| Серия | IPD5N25 |
| Технология | Si |
| Тип продукта | MOSFET |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Типичное время задержки выключения | 8 ns |
| Типичное время задержки при включении | 3 ns |
| Торговая марка | Infineon Technologies |
| Упаковка / блок | PG-TO-252-3 |
| Ширина | 6.22 mm |
| Вес, г | 4 |
