Как мы работаем
По сертификату
"военный регистр"
"военный регистр"
Только с Юр. Лицами,
мелкий и крупный опт
мелкий и крупный опт
![IPP072N10N3GXKSA1, Транзистор MOSFET N-CH 100V 80A [TO-220-3]](/images/placeholder.jpg)
Цена по запросу
IPP072N10N3GXKSA1, Транзистор MOSFET N-CH 100V 80A [TO-220-3]
Infineon OptiMOS™3 Power MOSFETs, 100V and over
Максимальная рабочая температура +175 °C
Максимальный непрерывный ток стока 80 А
Тип корпуса TO-220
Максимальное рассеяние мощности 150 Вт
Тип монтажа Монтаж на плату в отверстия
Ширина 15.95мм
Высота 4.57мм
Размеры 10.36 x 15.95 x 4.57мм
Материал транзистора Кремний
Количество элементов на ИС 1
Длина 10.36мм
Transistor Configuration Одинарный
Типичное время задержки включения 19 нс
Производитель Infineon
Типичное время задержки выключения 37 нс
Серия OptiMOS 3
Минимальная рабочая температура -55 °C
Maximum Gate Threshold Voltage 3.5V
Minimum Gate Threshold Voltage 2V
Максимальное сопротивление сток-исток 7,2 мΩ
Максимальное напряжение сток-исток 100 В
Число контактов 3
Типичный заряд затвора при Vgs 51 нКл при 10 В
Номер канала Поднятие
Типичная входная емкость при Vds 3690 пФ при 50 В
Тип канала N
Максимальное напряжение затвор-исток -20 В, +20 В
Вес, г 2.8
Infineon Technologies
| Напряжение исток-сток макс. | 100В |
| Ток стока макс. | 80А |
| Тип транзистора | N-канальный |
| Тип монтажа | Through Hole |
| Наименование | IPP072N10N3GXKSA1 |
| Производитель | Infineon Technologies |
| Нормоупаковка | 50 шт. |
