Как мы работаем
По сертификату
"военный регистр"
"военный регистр"
Только с Юр. Лицами,
мелкий и крупный опт
мелкий и крупный опт
Цена по запросу
IPT007N06NATMA1, Полевой MOSFET транзистор N-канальный 60В 300А 8HSOF
Полевой MOSFET транзистор N-канальный 60В 300А 8HSOF
Infineon Technologies
| Напряжение исток-сток макс. | 60В |
| Ток стока макс. | 300A(Tc) |
| Сопротивление открытого канала | 0.75 мОм @ 150А, 10В |
| Мощность макс. | 375Вт |
| Тип транзистора | N-канал |
| Особенности | Logic Level Gate |
| Пороговое напряжение включения макс. | 3.3В @ 280 µA |
| Заряд затвора | 216нКл @ 10В |
| Входная емкость | 16000пФ @ 30В |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Вес брутто | 0.93 г. |
| Наименование | IPT007N06NATMA1 |
| Производитель | Infineon Technologies |
| Описание Eng | MOSFET N-CH 60V 300A 8HSOF |
| Тип упаковки | Tape and Reel (лента в катушке) |
| Нормоупаковка | 200 шт |
| Корпус | HSOF8 |
