Как мы работаем
По сертификату
"военный регистр"
"военный регистр"
Только с Юр. Лицами,
мелкий и крупный опт
мелкий и крупный опт
Цена по запросу
IPW60R099C6FKSA1, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 37,9A 278Вт 0,099Ом TO247
CoolMOS 600V 38A 99mOhm TO247
Корпус TO-247-3
Maximum Operating Temperature +150 °C
Number of Elements per Chip 1
Length 16.13mm
Transistor Configuration Single
Brand Infineon
Maximum Continuous Drain Current 38 A
Package Type TO-247
Maximum Power Dissipation 278 W
Series CoolMOS C6
Mounting Type Through Hole
Minimum Operating Temperature -55 °C
Width 5.21mm
Maximum Gate Threshold Voltage 3.5V
Height 21.1mm
Minimum Gate Threshold Voltage 2.5V
Maximum Drain Source Resistance 99 mΩ
Maximum Drain Source Voltage 650 V
Pin Count 3
Typical Gate Charge @ Vgs 119 nC
Transistor Material Si
Channel Mode Enhancement
Channel Type N
Maximum Gate Source Voltage -30 V, +30 V
Вес, г 7.5
Infineon Technologies
| Напряжение исток-сток макс. | 600В |
| Ток стока макс. | 37.9А |
| Сопротивление открытого канала | 0.099Ом |
| Мощность макс. | 278Вт |
| Тип транзистора | N-канальный |
| Тип монтажа | Through Hole |
| Вес брутто | 8.3 г. |
| Наименование | IPW60R099C6FKSA1 |
| Производитель | Infineon Technologies |
| Описание Eng | N-Ch 600V 37,9A 278W 0,099R TO247 |
| Тип упаковки | Tube (туба) |
| Нормоупаковка | 30 шт |
