Как мы работаем
По сертификату
"военный регистр"
"военный регистр"
Только с Юр. Лицами,
мелкий и крупный опт
мелкий и крупный опт

Цена по запросу
IPW60R099CPFKSA1, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 650В 31А 255Вт
Infineon CoolMOS™CP Power MOSFET
Максимальная рабочая температура +150 °C
Максимальный непрерывный ток стока 31 A
Тип корпуса TO-247
Максимальное рассеяние мощности 255 Вт
Тип монтажа Монтаж на плату в отверстия
Ширина 5.21мм
Высота 21.1мм
Размеры 16.13 x 5.21 x 21.1мм
Материал транзистора Кремний
Количество элементов на ИС 1
Длина 16.13мм
Transistor Configuration Одинарный
Типичное время задержки включения 10 нс
Производитель Infineon
Типичное время задержки выключения 60 нс
Серия CoolMOS CP
Минимальная рабочая температура -55 °C
Maximum Gate Threshold Voltage 3.5V
Minimum Gate Threshold Voltage 2.5V
Максимальное сопротивление сток-исток 99 мΩ
Максимальное напряжение сток-исток 650 В
Число контактов 3
Категория Мощный МОП-транзистор
Типичный заряд затвора при Vgs 14 нКл при 10 В
Номер канала Поднятие
Типичная входная емкость при Vds 2800 пФ при 100 В
Тип канала N
Максимальное напряжение затвор-исток -20 В, +20 В
Вес, г 7.5
Infineon Technologies
Напряжение исток-сток макс. | 650В |
Ток стока макс. | 31A |
Сопротивление открытого канала | 99 мОм |
Мощность макс. | 255Вт |
Тип транзистора | N-канал |
Пороговое напряжение включения макс. | 3.5В |
Заряд затвора | 80нКл |
Входная емкость | 2800пФ |
Тип монтажа | Through Hole |
Корпус | TO-247 |
Вес брутто | 8 г. |
Наименование | IPW60R099CPFKSA1 |
Производитель | Infineon Technologies |
Описание Eng | MOSFET N-CH 650V 31A TO-247 |
Тип упаковки | Tube (туба) |
Нормоупаковка | 30 шт |