Контакты
с 8:00 до 22:00
без выходных
8 (812) 920-85-20
многоканальный
info@bastionit.ru Заказать звонок

Как мы работаем

По сертификату
"военный регистр"
Только с Юр. Лицами,
мелкий и крупный опт
IR2010S
Цена по запросу

IR2010S

Электроэлемент Описание IC: driver; полумост MOSFET; high-/low-side,контроллер затвора Характеристики Категория Микросхема Тип драйвер Вид MOSFET
Категория Микросхема
Тип драйвер
Вид MOSFET
Brand Infineon Technologies
Configuration Non-Inverting
Factory Pack Quantity 1000
Fall Time 25 ns
Features Independent
Height 2.35 mm(Max)
Length 10.5 mm(Max)
Logic Type CMOS, LSTTL
Manufacturer Infineon
Maximum Operating Temperature +125 C
Maximum Turn-Off Delay Time 65 ns
Maximum Turn-On Delay Time 95 ns
Minimum Operating Temperature -40 C
Mounting Style SMD/SMT
Number of Drivers 2 Driver
Number of Outputs 2
Operating Supply Current 230 uA
Output Current 3 A
Package / Case SOIC-16
Packaging Reel
Pd - Power Dissipation 1.25 W
Product Half-Bridge Drivers
Product Category Gate Drivers
Propagation Delay - Max 135 ns
Rise Time 20 ns
RoHS Details
Supply Voltage - Max 20 V
Supply Voltage - Min 10 V
Type High and Low Side
Unit Weight 0.023492 oz
Width 7.6 mm(Max)
Package Type SO16W
Pin Count 16
Supply Voltage 20V
Channel Type Independent
Current - Peak Output (Source, Sink) 3A, 3A
DigiKey Programmable Not Verified
Driven Configuration Half-Bridge
Gate Type IGBT, N-Channel MOSFET
High Side Voltage - Max (Bootstrap) 200 V
Input Type Non-Inverting
Logic Voltage - VIL, VIH 6V, 9.5V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -40°C ~ 150°C(TJ)
Rise / Fall Time (Typ) 10ns, 15ns
Supplier Device Package 16-SOIC
Voltage - Supply 10V ~ 20V
Вес, г 0.6042

Дмитрий Тест

Хороший проц
Плюсы:
Да
Минусы:
Нет

Андрюшка

Нормуль
Плюсы:
Плюсы!

Заказать звонок

Заполните форму и мы перезвоним вам в течение 10 минут

Нажимая кнопку, я даю согласие на обработку персональных данных