Как мы работаем

По сертификату
"военный регистр"

Только с Юр. Лицами,
мелкий и крупный опт

Цена по запросу

IR2010SPBF, Драйвер верхнего и нижнего плеча для импульсного источника электропитания (200В 3.0/3.0A)

MOSFET & IGBT Gate Drivers, High and Low Side, Infineon Gate Driver ICs from Infineon to control MOSFET or IGBT power devices in high-side and low-side configurations. Конфигурация half-bridge Тип канала независимый Кол-во каналов 2 Тип управляемого затвора IGBT, N-CH MOSFET Напряжение питания, В 10…20 Логическое напряжение (VIL), В 6 Логическое напряжение (VIH), В 9.5 Пиковый выходной ток нарастания (Source), А 3 Пиковый выходной ток спада (Sink), А 3 Тип входа неинвертирующий Максимальное напряжение смещения, В 200 Номинальное время нарастания (Rise Time), нс 10 Номинальное время затухания (Fall Time), нс 15 Рабочая температура, °C -40…+150 (TJ) Корпус soic-16 (0.295 inch) Вес, г 1 Infineon Technologies

Конфигурация	High and Low Side, Independent
Тип входа	Non-Inverting
Время задержки	95ns
Пиковый ток	3A
Число выходов	2
Напряжение питания	10 V ~ 20 V
Корпус	SO16W
Вес брутто	0.8 г.
Наименование	IR2010SPBF
Производитель	Infineon Technologies
Описание Eng	Driver 200V 3A 2-OUT Hi/Lo Side Non-Inv 16-Pin SOIC W Tube
Тип упаковки	Tube (туба)
Нормоупаковка	45 шт