Как мы работаем

По сертификату
"военный регистр"

Только с Юр. Лицами,
мелкий и крупный опт

Цена по запросу

IR2011SPBF, Драйвер верхнего и нижнего плеча для импульсного источника электропитания (200В 1.0/1.0A)

MOSFET & IGBT Gate Drivers, High and Low Side, Infineon Gate Driver ICs from Infineon to control MOSFET or IGBT power devices in high-side and low-side configurations. Конфигурация High-Side/Low-Side Тип канала независимый Кол-во каналов 2 Тип управляемого затвора N-CH MOSFET Напряжение питания, В 10…20 Логическое напряжение (VIL), В 0.7 Логическое напряжение (VIH), В 2.2 Пиковый выходной ток нарастания (Source), А 1 Пиковый выходной ток спада (Sink), А 1 Тип входа инвертирующий Максимальное напряжение смещения, В 200 Номинальное время нарастания (Rise Time), нс 35 Номинальное время затухания (Fall Time), нс 20 Рабочая температура, °C -40…+150 (TJ) Корпус soic-8 (0.154 inch) Вес, г 0.15 Infineon Technologies

Конфигурация	High and Low Side, Independent
Тип входа	Non-Inverting
Время задержки	80ns
Пиковый ток	1A
Число выходов	2
Напряжение питания	10 V ~ 20 V
Вес брутто	0.2 г.
Наименование	IR2011SPBF
Производитель	Infineon Technologies
Описание Eng	Driver 200V 1A 2-OUT Hi/Lo Side Non-Inv 8-Pin SOIC Tube
Тип упаковки	Tube (туба)
Нормоупаковка	95 шт
Корпус	SO-8