Как мы работаем

По сертификату
"военный регистр"

Только с Юр. Лицами,
мелкий и крупный опт

Цена по запросу

IR2101PBF, Драйверы верхнего и нижнего ключей. Тс=30нс, Uсм=600В, Uвых=10/20В, Iвых=0.13/0.27A

MOSFET & IGBT Gate Drivers, High and Low Side, Infineon Gate Driver ICs from Infineon to control MOSFET or IGBT power devices in high-side and low-side configurations. Конфигурация half-bridge Тип канала независимый Кол-во каналов 2 Тип управляемого затвора IGBT, N-CH MOSFET Напряжение питания, В 10…20 Логическое напряжение (VIL), В 0.8 Логическое напряжение (VIH), В 3 Пиковый выходной ток нарастания (Source), А 0.21 Пиковый выходной ток спада (Sink), А 0.36 Тип входа неинвертирующий Максимальное напряжение смещения, В 600 Номинальное время нарастания (Rise Time), нс 100 Номинальное время затухания (Fall Time), нс 50 Рабочая температура, °C -40…+150 (TJ) Корпус DIP-8 (0.300 inch) Вес, г 1 Полезная информация * ДРАЙВЕРЫ MOSFET/IGBT Infineon Technologies

Конфигурация	High and Low Side, Independent
Тип входа	Non-Inverting
Время задержки	160ns
Пиковый ток	210mA
Число выходов	2
Напряжение питания	10 V ~ 20 V
Корпус	DIP-8
Вес брутто	0.98 г.
Наименование	IR2101PBF
Производитель	Infineon Technologies
Описание Eng	Driver 600V 0.36A 2-OUT Hi/Lo Side Non-Inv 8-Pin PDIP Tube
Тип упаковки	Tube (туба)
Нормоупаковка	50 шт