Как мы работаем

По сертификату
"военный регистр"

Только с Юр. Лицами,
мелкий и крупный опт

Цена по запросу

IR2106SPBF, Драйверы верхнего и нижнего ключей. Тс=50нс, Uсм=600В, Uвых=10/20В, Iвых=0.12/0.25A

MOSFET & IGBT Gate Drivers, High and Low Side, Infineon Gate Driver ICs from Infineon to control MOSFET or IGBT power devices in high-side and low-side configurations. Конфигурация half-bridge Тип канала независимый Кол-во каналов 2 Тип управляемого затвора IGBT, N-CH MOSFET Напряжение питания, В 10…20 Логическое напряжение (VIL), В 0.8 Логическое напряжение (VIH), В 2.9 Пиковый выходной ток нарастания (Source), А 0.2 Пиковый выходной ток спада (Sink), А 0.35 Тип входа неинвертирующий Максимальное напряжение смещения, В 600 Номинальное время нарастания (Rise Time), нс 150 Номинальное время затухания (Fall Time), нс 50 Рабочая температура, °C -40…+150 (TJ) Корпус soic-8 (0.154 inch) Вес, г 0.15 Полезная информация * ДРАЙВЕРЫ MOSFET/IGBT Infineon Technologies

Конфигурация	High and Low Side, Independent
Тип входа	Non-Inverting
Время задержки	220ns
Пиковый ток	200mA
Число выходов	2
Напряжение питания	10 V ~ 20 V
Вес брутто	0.15 г.
Наименование	IR2106SPBF
Производитель	Infineon Technologies
Описание Eng	Driver 600V 0.35A 2-OUT Hi/Lo Side Non-Inv 8-Pin SOIC Tube
Тип упаковки	Tape and Reel (лента в катушке)
Нормоупаковка	3800 шт
Корпус	SO-8