Как мы работаем

По сертификату
"военный регистр"

Только с Юр. Лицами,
мелкий и крупный опт

Цена по запросу

IRF1324PBF, Транзистор N-MOSFET 24В 195A [TO-220AB.]

Infineon's range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes N-channel devices in surface mount and leaded packages and form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge.

Структура	N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В	24
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А	353
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В	±20
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)	0.0015 Ом/195А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт	300
Крутизна характеристики, S	180
Корпус	TO-220AB
Особенности	высокоскоростной мощный ключ
Пороговое напряжение на затворе	2…4
Вес, г	2.5