Как мы работаем

По сертификату
"военный регистр"

Только с Юр. Лицами,
мелкий и крупный опт

Цена по запросу

IRF3205LPBF, Транзистор MOSFET N-канал Si 55В 110А [TO-262]

MOSFET, N-CH, 55V, 110A, TO-262-3; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:110A; Drain Source Voltage Vds:55V; On Resistance Rds(on):0.008ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:4V; Power Dissipation Pd:200W; Transistor Case Style:TO-262; No. of Pins:3Pins; Operating Temperature Max:175°C; Product Range:HEXFET Series; Automotive Qualification Standard:-; MSL:MSL 1 - Unlimited; SVHC:No SVHC (27-Jun-2018)

Структура	N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В	55
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А	110
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В	±20
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)	0.008 Ом/62А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт	200
Крутизна характеристики, S	44
Корпус	TO-262
Вес, г	2.5