Как мы работаем
По сертификату
"военный регистр"
"военный регистр"
Только с Юр. Лицами,
мелкий и крупный опт
мелкий и крупный опт

Цена по запросу
IRF3205STRLPBF, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 110А 200Вт
N-CH 55V 110A 8mOhm TO263
Корпус TO263, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 55 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 110 А, Сопротивление открытого канала (мин) 8 мОм
Структура n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 55
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 110
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В ±20
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 0.008 ом при 62a, 10в
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 200
Крутизна характеристики, S 44
Корпус d2pak
Вес, г 2.5
Полезная информация
* MOSFET ДЛЯ ПОВЕРХНОСТНОГО МОНТАЖА
Infineon Technologies
Напряжение исток-сток макс. | 55В |
Ток стока макс. | 110A |
Сопротивление открытого канала | 8 мОм |
Мощность макс. | 200Вт |
Тип транзистора | N-канал |
Пороговое напряжение включения макс. | 4В |
Заряд затвора | 146нКл |
Входная емкость | 3247пФ |
Тип монтажа | Surface Mount |
Корпус | D2Pak (TO-263) |
Вес брутто | 2.24 г. |
Наименование | IRF3205STRLPBF |
Производитель | Infineon Technologies |
Описание Eng | MOSFET N-CH 55V 110A D2PAK |
Тип упаковки | Tape and Reel (лента в катушке) |
Нормоупаковка | 800 шт |