Как мы работаем
По сертификату
"военный регистр"
"военный регистр"
Только с Юр. Лицами,
мелкий и крупный опт
мелкий и крупный опт
Цена по запросу
IRF3808STRLPBF, Транзистор полевой MOSFET MOSFET N-канальный 75В/106А/200Вт/0.007 Ом
N-Channel Power MOSFET 60V to 80V, Infineon
The Infineon range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes N-channel devices in surface mount and leaded packages. And form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range benchmark on resistance drives down conduction losses, allowing designers to deliver optimum system efficiency.
Структура n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 75
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 106
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 0.007 ом при 82a, 10в
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 200
Крутизна характеристики, S 100
Корпус d2pak
Вес, г 2.5
Infineon Technologies
| Напряжение исток-сток макс. | 75В |
| Ток стока макс. | 106A |
| Сопротивление открытого канала | 7 мОм |
| Мощность макс. | 200Вт |
| Тип транзистора | N-канал |
| Пороговое напряжение включения макс. | 4В |
| Заряд затвора | 220нКл |
| Входная емкость | 5310пФ |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Корпус | D2Pak (TO-263) |
| Вес брутто | 1.35 г. |
| Наименование | IRF3808STRLPBF |
| Производитель | Infineon Technologies |
| Описание Eng | MOSFET N-канал 75В/106А/200Вт/0.007 Ом |
| Тип упаковки | Tape and Reel (лента в катушке) |
| Нормоупаковка | 800 шт |
