Как мы работаем
По сертификату
"военный регистр"
"военный регистр"
Только с Юр. Лицами,
мелкий и крупный опт
мелкий и крупный опт
Цена по запросу
IRF4104SPBF, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 75A
The IRF4104SPBF is a HEXFET® single N-channel Power MOSFET utilizes the latest processing techniques to achieve extremely low ON-resistance per silicon area. Additional features of this design are a 175°C junction operating temperature, fast switching speed and improved repetitive avalanche rating. These features combine to make this design an extremely efficient and reliable device for use in a wide variety of applications.
• Advanced process technology
• Repetitive avalanche allowed up to Tjmax
Структура n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 40
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 120
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В ±20
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 0.0055 ом при 75a, 10в
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 140
Корпус d2pak
Пороговое напряжение на затворе 2…4
Вес, г 2.5
Infineon Technologies
| Напряжение исток-сток макс. | 40В |
| Ток стока макс. | 75A |
| Сопротивление открытого канала | 5.5 мОм |
| Мощность макс. | 140Вт |
| Тип транзистора | N-канал |
| Пороговое напряжение включения макс. | 4В |
| Заряд затвора | 100нКл |
| Входная емкость | 3000пФ |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Корпус | D2Pak (TO-263) |
| Вес брутто | 2.39 г. |
| Наименование | IRF4104SPBF |
| Производитель | Infineon Technologies |
| Описание Eng | MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK |
| Тип упаковки | Tube (туба) |
| Нормоупаковка | 50 шт |
