Как мы работаем
По сертификату
"военный регистр"
"военный регистр"
Только с Юр. Лицами,
мелкий и крупный опт
мелкий и крупный опт

Цена по запросу
IRF510PBF, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 5.6А 43Вт, 0.54 Ом
N-Channel MOSFET, 100V to 150V, Vishay Semiconductor
Структура n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 100
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 5.6
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В ±20
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 0.54 ом при 3.4a, 10в
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 43
Крутизна характеристики, S 2
Корпус to220ab
Пороговое напряжение на затворе 2…4
Вес, г 2.5
Vishay
Напряжение исток-сток макс. | 100В |
Ток стока макс. | 5.6A |
Сопротивление открытого канала | 540 мОм |
Мощность макс. | 43Вт |
Тип транзистора | N-канал |
Пороговое напряжение включения макс. | 4В |
Заряд затвора | 8.3нКл |
Входная емкость | 180пФ |
Тип монтажа | Through Hole |
Корпус | TO-220AB |
Вес брутто | 2.7 г. |
Наименование | IRF510PBF |
Производитель | Vishay |
Описание Eng | MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
Тип упаковки | Tube (туба) |
Нормоупаковка | 50 шт |