Как мы работаем
По сертификату
"военный регистр"
"военный регистр"
Только с Юр. Лицами,
мелкий и крупный опт
мелкий и крупный опт
Цена по запросу
IRF520NSTRLPBF, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 9.7A 3-Pin(2+Tab) D2PAK лента на катушке
D2PAK/100V SINGLE N-CHANNEL HEXFET POWER MOSFET IN A D2-PAK PACKAGE
Корпус TO263, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 100 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 9.7 А, Сопротивление открытого канала (мин) 200 мОм
Максимальная рабочая температура +175 °C
Максимальный непрерывный ток стока 9,7 А
Тип корпуса D2PAK (TO-263)
Максимальное рассеяние мощности 48 Вт
Тип монтажа Поверхностный монтаж
Ширина 9.65мм
Высота 4.83мм
Размеры 10.67 x 9.65 x 4.83мм
Материал транзистора Кремний
Количество элементов на ИС 1
Длина 10.67мм
Transistor Configuration Одинарный
Типичное время задержки включения 4.5 ns
Производитель Infineon
Типичное время задержки выключения 32 нс
Серия HEXFET
Минимальная рабочая температура -55 °C
Maximum Gate Threshold Voltage 4V
Minimum Gate Threshold Voltage 2V
Максимальное сопротивление сток-исток 200 мОм
Максимальное напряжение сток-исток 100 В
Число контактов 3
Категория Мощный МОП-транзистор
Типичный заряд затвора при Vgs 25 нКл
Номер канала Поднятие
Типичная входная емкость при Vds 330 pF @ 25 V
Тип канала N
Максимальное напряжение затвор-исток -20 В, +20 В
Вес, г 4
Infineon Technologies
| Напряжение исток-сток макс. | 100В |
| Ток стока макс. | 9.7A |
| Сопротивление открытого канала | 200 мОм |
| Мощность макс. | 3.8Вт |
| Тип транзистора | N-канал |
| Пороговое напряжение включения макс. | 4В |
| Заряд затвора | 25нКл |
| Входная емкость | 330пФ |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Корпус | D2Pak (TO-263) |
| Вес брутто | 1.35 г. |
| Наименование | IRF520NSTRLPBF |
| Производитель | Infineon Technologies |
| Описание Eng | MOSFET N-CH 100V 9.7A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
| Тип упаковки | Tape and Reel (лента в катушке) |
| Нормоупаковка | 200 шт |
