Как мы работаем
По сертификату
"военный регистр"
"военный регистр"
Только с Юр. Лицами,
мелкий и крупный опт
мелкий и крупный опт

Цена по запросу
IRF520PBF, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 9.2А 60Вт
The IRF520PBF is a 100V N-channel Power MOSFET provides the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness. The low thermal resistance contributes to its wide acceptance throughout the industry.
• Dynamic dv/dt rating
• Repetitive avalanche rated
• Fast switching
• Ease of paralleling
• Simple drive requirements
• ±20V Gate to source voltage
• 2.5°C/W Thermal resistance, junction to case
• 62°C/W Thermal resistance, junction to ambient
Структура n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 100
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 9.2
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В ±20
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 0.27 ом при 5.5a, 10в
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 60
Крутизна характеристики, S 2.7
Корпус to220ab
Пороговое напряжение на затворе 4
Вес, г 2.5
Vishay
Напряжение исток-сток макс. | 100В |
Ток стока макс. | 9.2A |
Сопротивление открытого канала | 270 мОм |
Мощность макс. | 60Вт |
Тип транзистора | N-канал |
Пороговое напряжение включения макс. | 4В |
Заряд затвора | 16нКл |
Входная емкость | 360пФ |
Тип монтажа | Through Hole |
Корпус | TO-220AB |
Вес брутто | 2.78 г. |
Наименование | IRF520PBF |
Производитель | Vishay |
Описание Eng | MOSFET N-CH 100V 9.2A TO-220AB |
Тип упаковки | Tube (туба) |
Нормоупаковка | 50 шт |