Как мы работаем
По сертификату
"военный регистр"
"военный регистр"
Только с Юр. Лицами,
мелкий и крупный опт
мелкий и крупный опт

Цена по запросу
IRF530A, MOSFET N-CH 100V 14A TO-220
IRF530A является N-канальным силовым МОП-транзистором 100В с надежными технологиями Avalanche и Gate Oxide. Он оснащен меньшей входной емкостью и улучшенным параметром заряда затвора.
• Увеличенная зона безопасной работы
• Уменьшенный ток утечки (10А при VDS = 100В)
• Уменьшенное сопротивление в активном состоянии Rds (on) (типичное значение 0.092Ом)
• Напряжение затвор - источник ±20В
• Тепловое сопротивление 62.5°C/Вт, переход к окружающей среде
• Тепловое сопротивление переход-корпус 2.74°C/Вт
Структура n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 100
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 14
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В ±20
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 0.11 ом при 7a, 10в
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 55
Корпус to220ab
Пороговое напряжение на затворе 2…4
Вес, г 2.5
ON Semiconductor
Наименование | IRF530A |
Производитель | ON Semiconductor |
Нормоупаковка | 50 шт. |
Корпус | TO-220 |