Как мы работаем
По сертификату
"военный регистр"
"военный регистр"
Только с Юр. Лицами,
мелкий и крупный опт
мелкий и крупный опт
Цена по запросу
IRF5852TRPBF, Сборка из полевых транзисторов, N-канальный, 20 В, 2.2 А, 0.09 Ом
Структура 2n-канала
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 20
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 2.7
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В ±12
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 0.09 ом при 2.7a, 4.5в
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 0.96
Крутизна характеристики, S 5.2
Корпус tsop6
Пороговое напряжение на затворе 0.6…1.25
Вес, г 0.1
Infineon Technologies
| Тип транзистора | 2N-канальный |
| Особенности | Логическое управление |
| Максимальное напряжение сток-исток | 20 В |
| Маскимальный ток стока | 2.7 А |
| Максимальная рассеиваемая мощность | 960 мВт |
| Корпус | TSOP-6 |
| Вес брутто | 0.06 г. |
| Наименование | IRF5852TRPBF |
| Производитель | Infineon Technologies |
| Описание Eng | MOSFET Dual N-канал 20В/2,2А/0,09Ом_0,12Ом |
| Тип упаковки | Tape and Reel (лента в катушке) |
| Нормоупаковка | 3000 шт |
Похожие товары
Цена по запросу
Цена по запросу
Цена по запросу
Цена по запросу
Цена по запросу
