Как мы работаем
По сертификату
"военный регистр"
"военный регистр"
Только с Юр. Лицами,
мелкий и крупный опт
мелкий и крупный опт
Цена по запросу
IRF6201TRPBF, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 20В 27A 2,5Вт 0,00245Ом SO8
Максимальная рабочая температура +150 °C
Максимальный непрерывный ток стока 27 А
Тип корпуса SOIC
Максимальное рассеяние мощности 2,5 Вт
Тип монтажа Поверхностный монтаж
Ширина 4мм
Высота 1.5мм
Размеры 5 x 4 x 1.5мм
Материал транзистора Кремний
Количество элементов на ИС 1
Длина 5мм
Transistor Configuration Одинарный
Типичное время задержки включения 29 нс
Производитель Infineon
Типичное время задержки выключения 320 нс
Серия HEXFET
Минимальная рабочая температура -55 °C
Maximum Gate Threshold Voltage 1.1V
Minimum Gate Threshold Voltage 0.5V
Максимальное сопротивление сток-исток 2,7 мΩ
Максимальное напряжение сток-исток 20 V
Число контактов 8
Категория Мощный МОП-транзистор
Типичный заряд затвора при Vgs 130 nC @ 10 V
Номер канала Поднятие
Типичная входная емкость при Vds 8555 пФ при 16 В
Тип канала N
Максимальное напряжение затвор-исток -12 V, +12 V
Вес, г 0.15
Infineon Technologies
| Напряжение исток-сток макс. | 20В |
| Ток стока макс. | 27A(Ta) |
| Сопротивление открытого канала | 2.45 мОм @ 27А, 4.5В |
| Мощность макс. | 2.5Вт |
| Тип транзистора | N-канал |
| Особенности | Logic Level Gate |
| Пороговое напряжение включения макс. | 1.1В @ 100 µA |
| Заряд затвора | 195нКл @ 4.5В |
| Входная емкость | 8555пФ @ 16В |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Наименование | IRF6201TRPBF |
| Производитель | Infineon Technologies |
| Описание Eng | N-Ch 20V 27A 2,5W 0,00245R SO8 |
| Нормоупаковка | 4000 шт |
| Корпус | SO-8 |
