Как мы работаем
По сертификату
"военный регистр"
"военный регистр"
Только с Юр. Лицами,
мелкий и крупный опт
мелкий и крупный опт
Цена по запросу
IRF620PBF, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 5.2А 50Вт, 0.8 Ом
The IRF620PBF is a third generation N-channel enhancement-mode Power MOSFET comes with the best combination of fast switching, ruggedized device design and low ON-resistance. The package is universally preferred for power dissipation levels to approximately 50W. The low thermal resistance of the package contributes to its wide acceptance throughout the industry.
• Dynamic dV/dt rating
• Repetitive avalanche rated
• Ease of paralleling
• Simple drive requirements
Структура n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 200
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 5.2
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В ±20
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 0.8 ом при 3.1a, 10в
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 40
Крутизна характеристики, S 1.5
Корпус to220ab
Пороговое напряжение на затворе 2…4
Вес, г 2.5
Vishay
| Напряжение исток-сток макс. | 200В |
| Ток стока макс. | 5.2A |
| Сопротивление открытого канала | 800 мОм |
| Мощность макс. | 50Вт |
| Тип транзистора | N-канал |
| Пороговое напряжение включения макс. | 4В |
| Заряд затвора | 14нКл |
| Входная емкость | 260пФ |
| Тип монтажа | Through Hole |
| Корпус | TO-220 Isolated Tab |
| Вес брутто | 2.7 г. |
| Наименование | IRF620PBF |
| Производитель | Vishay |
| Описание Eng | MOSFET N-CH 200V 5.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
| Тип упаковки | Tube (туба) |
| Нормоупаковка | 50 шт |
